【路透：三星、SK海力士升级中国工厂 NAND 层数 应对长江存储竞争】金色财经报道，10月21日，据路透社消息，三星电子与 SK 海力士正升级其中国工厂，计划生产层数更高的 NA…

【路透：三星、SK海力士升级中国工厂 NAND 层数 应对长江存储竞争】金色财经报道，10月21日，据路透社消息，三星电子与 SK 海力士正升级其中国工厂，计划生产层数更高的 NAND 闪存芯片，以应对长江存储的快速发展并满足 AI 存储需求。两家公司均向路透社确认升级正在进行，并称与美国方面保持密切沟通，但未披露具体生产计划。 三星拟将西安工厂升级至 286 层 V9 NAND（现约200层，占其全球 NAND 产量约40%），内部代号"Monami"，目标2026年12月月产5000片晶圆、2027年12月提至4万片；三星称不涉及扩产或新建设施。SK 海力士拟将大连工厂升级至240层及以上（现约192层），并已获批在大连生产最高240层芯片，可能向美方申请300层以上研发；其还在与特朗普政府商讨赴美建 NAND 工厂。 报道指出，美国自2022年起对部分芯片设备实施出口管制，两家公司在中国安装美制设备需每年申请许可；美商务部 BIS 称允许其继续运营现有中国工厂，但不打算批准扩产或技术升级申请。路透未能确认本次升级的设备出口许可获批程度。同期长江存储中国 NAND 市占率升至38.5%（超三星），三星、SK 海力士份额分别降至33.5%、17%。