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SemiAnalysis:在没有EUV光刻机情况下 华为海思麒麟9030芯片超过英特尔最先进EUV工艺
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2026-07-21 11:03:20
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金色财经报道,7月21日,知名半导体和AI研究分析公司发文表示,其拆解华为最新旗舰手机芯片海思麒麟9030,在电子显微镜下测量了麒麟9030芯片内部最小的导线间距——金属间距,结果发现麒麟9030内部最小的金属间距仅为32.5纳米。这比基于英特尔最新18A工艺的Panther Lake芯片的金属间距还要小。中芯国际在没有最先进设备,也没有EUV光刻技术的情况下,竟然能将导线间距缩小到比英特尔最先进的EUV工艺还要小10%左右。...
金色财经报道,7月21日,知名半导体和AI研究分析公司发文表示,其拆解华为最新旗舰手机芯片海思麒麟9030,在电子显微镜下测量了麒麟9030芯片内部最小的导线间距——金属间距,结果发现麒麟9030内部最小的金属间距仅为32.5纳米。这比基于英特尔最新18A工艺的Panther Lake芯片的金属间距还要小。中芯国际在没有最先进设备,也没有EUV光刻技术的情况下,竟然能将导线间距缩小到比英特尔最先进的EUV工艺还要小10%左右。
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